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          深圳市晶海微電子有限公司

          SHENZHEN KINHAVE ELECTRONICS CO.,LTD

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          MOSFET 
           
          金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。

          MOSFET 型號命名
           
          中國命名法
           
          有兩種命名方法。
           
          場效應管通常有下列兩種命名方法。
           
          第一種命名方法是使用“中國半導體器件型號命名法”的第3、第4和第5部分來命名,其中的第3部分用字母CS表示場效應管,第4部分用阿拉伯數字表示器件序號,第5部分用漢語拼音字母表示規格號。例如CS2B、CS14A、CS45G等。
           
          第二種命名方法與雙極型三極管相同,第一位用數字代表電極數;第二位用字母代表極性(其中D是N溝道,C是P溝道);第三位用字母代表類型(其中J代表結型場效應管,O代表絕緣柵場效應管)。例如,3DJ6D是N溝道結型場效應三極管,3D06C是N溝道絕緣柵型場效應三極管。
           
          日本命名法
           
          日本生產的半導體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到前五個部分,其各部分的符號意義如下:
           
            第一部分:用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。
           
            第二部分:日本電子工業協會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業協會JEIA注冊登記的半導體分立器件。
           
            第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結晶體管、J-P溝道場效應管、K-N溝道場效應管、M-雙向可控硅。
           
            第四部分:用數字表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數-從“11”開始,表示在日本電子工業協會JEIA登記的順序號;不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號;數字越大,越是近期產品。
           
            第五部分:用字母表示同一型號的改進型產品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產品的改進產品。
          如2SK134為N溝道MOSFET,2SJ49為P溝道MOSFET。


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